مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوارهای گرافن

تعداد صفحات:67 نوع فایل:word   فهرست: فهرست : 3 فهرست جدول ها 5 چکیده 8 فصل اول . 10 مقدمه . 10 فصل دوم . 17 2-1- معرفي نانو نوار گرافن .. 17 2-1-1- روش های تولید گرافن : 24 2-1-1-1- لیتوگرافی پرتو E . 24 2-1-1-2- روش‌ پوسته پوسته کردن میکرومکانیکی : 25 2-1-1-3- روش رشد همبافته : 26 2-1-1-4- روش رسوب نشانی بخار شیمیایی ( CVD ) : 26 2-1-1-5- روش تهیه گرافن از اکسید گرافیت : 27 2-1-1-6- گرافن مصنوعی : 28 2-1-1-7- سنتز گرافن از گرافیت با استفاده از روش های حرارتی : 28 2-1-1-8- سنتز نانوريبون‌هاي گرافني درون نانولوله‌هاي كربني : 28 2-2- ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن .. 29 2-2-1- ترانزيستور اثر ميداني نانو نوار گرافن سد شاتکی .. 29 2-2-2- ترانزيستور اثر ميداني نانو نوار گرافن ماسفتی .. 32 2-2-3- ترانزيستور اثر ميدانی نانو نوار گرافن تونلي ( TFET ) 33 فصل سوم . 36 3-3- مروری بر روش شبيه سازي NEGF . 36 فصل چه …

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *