طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور های مبتنی بر نانو تیوب کربن

در این مقاله نویسندگان آن استفاده از ترانزیستور های اثر میدانی مبتنی بر نانو تیوب کربن (CNTFET ) را برای طراحی یک حافظه RAM ایستای سه گانه بررسی کرده اند . محققان این مقاله دو طراحی ، یکی با 8 ترانزیستور و دیگری را با 14 ترانزیستور در نظر گرفته اند . با استفاده از مدل شبیه سازی مداری برای CNTFET ها ، محققان نشان داده اند که هر دو طراحی مذکور ، یک سلول SRAM سه گانه کاربردی را تولید می کنند . همچنین نویسند گان این مقاله ، تاخیر و توان عملیات خواندن و نوشتن SRAM سه گانه تولید شده را با استفاده از هر دو مدل ایجاد کرده اند و نشان داده اند که تاخیر بوجود آمده قابل مقایسه است . …

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *